Аппаратные интерфейсы ПК

         

Энергонезависимая память


Обобщенное понятие энергонезависимой памяти (NV Storage) означает любое устройство, хранящее записанные данные даже при отсутствии питающего напря­жения (в отличие от статической и динамической полупроводниковой памяти). В данном разделе рассматриваются только электронные устройства энергонеза­висимой памяти, хотя к энергонезависимой памяти относятся и устройства с по­движным магнитным или оптическим носителем. Существует множество типов энергонезависимой памяти: ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash Memory, FRAM, различающихся по своим потребительским свойствам, обусловленным способом построения запоминающих ячеек, и сферам применения. Запись инфор­мации в энергонезависимую память, называемая программированием, обычно су­щественно сложнее и требует больших затрат времени и энергии, чем считывание. Программирование ячейки (или блока) — это целая процедура, в которую может входить подача специальных команд записи и верификации. Основным режимом работы такой памяти является считывание данных, а некоторые типы после про­граммирования допускают только считывание, что и обусловливает их общее на­звание ROM (Read Only Memory — память только для чтения) или ПЗУ (посто­янное запоминающее устройство).

Запоминающие ячейки энергонезависимой памяти по своей природе обычно асимметричны и, как правило, позволяют записывать только нули в нужные биты предварительно стертых (чистых) ячеек, содержащие единицы. Для некоторых типов памяти чистым считается нулевое состояние ячеек. Однократно программи­руемые микросхемы позволяют изменять только исходное (после изготовления) состояние ячеек. Для стирания (если оно возможно) требуются значительные за­траты энергии (мощности и времени), и процедура стирания обычно существенно дольше записи. Стирание ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определенного блока, либо для одной ячейки (байта). Стирание приводит все биты стираемой области в одно состояние (обычно во все единицы, реже — во все нули).


Процедура программирования многих старых типов памяти требует относитель­но высокого напряжения программирования (12-26 В), а для однократно про­граммируемых (прожигаемых) микросхем и специального (не ТТЛ) интерфейса управления. После программирования требуется верификация — сравнение запи­санной информации с оригиналом, причем некачественное управление программи­рованием (или брак микросхемы) может приводить к «зарастанию» записанной ячейки, что потребует повторного (возможно, и неудачного) ее программирова-

7.3. Энергонезависимая память________________________________________ 277

ния. Возможен и обратный вариант, когда «пробиваются» соседние ячейки, что требует повторного стирания (тоже, возможно, неудачного). Стирание и програм­мирование микросхем может выполняться либо в специальном устройстве — про­грамматоре, либо в самом целевом устройстве, если у него предусмотрены соот­ветствующие средства. Микросхемы различают по способу программирования.

¦ Микросхемы, программируемые при изготовлении, — масочные ПЗУ, содер­жимое которых определяется рисунком технологического шаблона. Такие микросхемы используют лишь при выпуске большой партии устройств с од­ной и той же прошивкой.

¦     Микросхемы, программируемые однократно после изготовления перед уста­

новкой в целевое устройство, — ППЗУ (программируемые ПЗУ) или PROM (Programmable ROM). Программирование осуществляется прожиганием опре­деленных хранящих элементов на специальных устройствах-программаторах.

¦     Микросхемы, стираемые и программируемые многократно, — РПЗУ (репрограммируемые ПЗУ) или EPROM(Erasable PROM — стираемые ПЗУ). Для сти­рания и программирования требуется специальное оборудование. Микросхе­мы программируются в программаторе. Иногда возможно программирование микросхем прямо в целевом устройстве, подключая внешний программатор, —так называемыйметодОЯР(Оп-Воагс! Programming). Наиболее распространены микросхемы УФРПЗУ, стираемые ультрафиолетовым облучением, — их обычно



называют просто EPROM или UV-EPROM(Ultra-Violet EPROM). В этом клас­се имеются и электрически стираемые ПЗУ (ЭСПЗУ) или EEPROM (ElecricalErasable PROM).

¦     Микросхемы, перепрограммируемые многократно в целевом устройстве, ис­

пользуя программу его процессора, — так называемый метод ISP или ISW (In-System Programming или In-System Write). К этому классу относятся чисто электрически перепрограммируемые микросхемы NVRAM и FRAM, но наиболь­шее распространение получила флэш-память и современные модели EEPROM.

NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory) — энергонезависимая память с про­извольным доступом. Это название подразумевает возможность произвольной смены информации не только во всей ее области или блоке, но и в отдельной ячей­ке, причем не процедурой, а обычным шинным циклом. К этому классу относятся микросхемы FRAM и, с некоторой натяжкой, EEPROM. У последних время вы­полнения внутренней операции записи обычно довольно большое, и после ин­терфейсной операции записи ячейки память недоступна ни для каких операций в течение нескольких мс (а то и десятков мс). Флэш-память к этому классу отно­сить нельзя, поскольку изменение информации, недаром называемое программи­рованием, в этой памяти осуществляется специальной программной процедурой.

Ферроэлектрическая память FRAM (Ferroelectric RAM) — энергонезависимая память с истинно произвольным доступом, запись и чтение ее осуществляются как в обычных микросхемах статической памяти. При ее изготовлении используется железо — ее можно считать эхом старинной памяти больших машин на магнит-

278___________________________       Глава 7. Интерфейсы электронной; памяти

ных сердечниках. Ячейки FRAM по структуре напоминают DRAM, но информа­ция хранится не в виде заряда конденсатора (который нужно поддерживать реге­нерацией), а виде направления поляризации кристаллов. Запись производится непосредственно, предварительного стирания не требуется. Как и флэш-память, она используется в самых портативных системах класса PDA (personal digital assistants — персональный цифровой ассистент).


Над этими устройствами актив­ но работает фирма Hitachi совместно с фирмой Ramtron (www.ramtron.com) и фир­ма Matsushita совместно с фирмой Symetrix. В настоящее время выпускаются микросхемы емкостью 4-256 Кбит (технология 0,35 мкм) с параллельным интер­фейсом (как SRAM) и временем доступа 70-120 не, а также с последовательным интерфейсом PC. Кроме массивов памяти FRAM используется и в специальных энергонезависимых регистрах — есть, например, микросхемы FM573 и FM574, которые при включенном питании ведут себя аналогично стандартным 8-битным регистрам '573 и '574, но при выключении питания помнят свое состояние. Мик­росхемы FRAM имеют интерфейс КМОП, питание 5 В, но имеются изделия и на 2,7 В. В отличие от флэш-памяти, у которой число циклов перезаписи принципи­ально ограничено (хотя и очень велико), ячейки FRAM практически не дегради­руют в процессе записи — гарантируется до 1010 циклов перезаписи. Провозгла­шается замена на FRAM даже динамической памяти, однако в PC память FRAM автору пока встречать не доводилось.


Содержание раздела