Аппаратные интерфейсы ПК



EEPROM и флэш-память - часть 23


В последнем случае эти операции занимают больше времени. Кроме того, операции чтения возможны при пониженном (3,3 и даже 2,7 В) напряжении питания Vcc, при этом снижается потребление, но увеличивается время доступа. Для управления защитой данных введен логический сигнал WP# (Write Protect). При его высоком уровне программирование и стирание защищенных блоков выполняют­ся так же, как и остальных. При низком уровне WP# модификация защищенных блоков возможна только при наличии высокого (12 В) напряжения на входе RP#. Для полной защиты от стирания и программирования на вход VPP должен пода­ваться низкий логический уровень (или О В), а не 5 В, как у микросхем с програм­мированием напряжением 12 В.

Настройка (оптимизация потребления и быстродействия) происходит по уров­ню напряжения на выводе Vcc по включении питания, переход на другое значение должен производиться через выключение питания.

Флэш-память фирмы AMD

Фирмой AMD выпускается несколько семейств микросхем флэш-памяти. Первые из них были близки по характеристикам к флэш-памяти Intel первого поколения

7.3. Энергонезависимая память_____________________________________________________________________     301

(Bulk Erase, стирание и программирование 12 В): это Am28F256/512/ 010/020. В отличие от аналогичных микросхем Intel, Am28F256/512 не имели стоп^тайме-ра, что требовало точной выдержки при программировании и стирании. Следующим этапом были микросхемы Am28F256A/512A/010A/020A со встроенным алгорит­мом программирования, отличающимся от алгоритма микросхем Intel второго поколения как последовательностью команд, так и способом определения момен­та окончания операций. Для защиты от случайного выполнения команды состоят из 3-6 шинных циклов, причем для них существенен и адрес (табл. 7.28). Состо­яние выполнения операций стирания или программирования определяется по результату данных, полученных в шинном цикле чтения по адресу ячейки, уча­ствующей в операции (а не регистра состояния, как у Intel).


Содержание  Назад  Вперед